Влияния ультразвуковых волн на характеристики детектора излучения

Авторы

  • Абдумалик Гаибов Ташкентский государственный технический университет, г. Ташкент, Узбекистан

DOI:

https://doi.org/10.47813/2782-2818-2022-2-1-62-68

Ключевые слова:

ультразвук, полупроводниковый диффузионный детектор, потеря заряда, время дрейфа, локальные скопления примесных атомов

Аннотация

В работе приведены результаты исследования полевых зависимостей потерь заряда кремниевых диффузионных детекторов, которые позволяют идентифицировать одиночные атомы и их скопления, выступающие в роли центров захвата носителей заряда. В электрических полях Е > 1470 В/cм происходит эффективное уменьшение процессов захвата, что проявляется в виде спрямления полевых зависимостей потерь заряда и в сужении спектральных линий.  Воздействия – ультразвуковое поле интенсивностью I* = 0,4 Вт/cм2 и частотой f = 15 MГц, на образцы в течение времени t £ 45 минут, приводит к росту амплитуды сигнала. Установлено, что ультразвуковое воздействие приводит к уменьшению потери заряда, времени дрейфа и улучшению энергетического разрешения детекторов. Также следует отметить, что флуктуации рельефа примеси в объеме Si-p-типа сглаживаются после прохождения через него ультразвуковых волн малой мощности в течение длительного времени, о чем свидетельствует значительное уменьшение эффективного размера локальных скоплений дефектов.

Библиографические ссылки

Акимов, Ю. К. Кремниевые детекторы излучения (обзор) / Ю. К. Акимов. – Москва: 12ПТЭ, 2007. – № 1. – 5-34 с.

Бойко, В. И. Методы и приборы для измерения ядерных и других радиоактивных материалов / В. И. Бойко, И. И. Жерин, В. Д. Каратаев, Ю. В. Недбайло, М. Е.Силаев. – Москва: МНТЦ «Ответственная наука» , 2011. – 356 с.

Заверюхина, Н. Н. Акустостимулированное изменение плотности и энергетического спектра поверхностных состояний в монокристаллах р-кремния / Н. Н. Заверюхина, Е. Б. Заверюхина, С. И. Власов, Б. Н. Заверюхин // Письма в Журнал технической физики. – 2008. – № 34(6). – С. 36-42.

Gaibov, A. G. Acoustostimulated diffusion of gold atoms into highly doped N+ -Layers of Silicon / A. G. Gaibov, K. I. Vakhobov // International Journal of Advanced Research in Science, Engineering and Technology. – 2020. – № 7(7). – Р. 14455-14461.

Загрузки

Опубликован

2022-03-30

Как цитировать

Гаибов, А. (2022). Влияния ультразвуковых волн на характеристики детектора излучения. Современные инновации, системы и технологии - Modern Innovations, Systems and Technologies, 2(1), 62–68. https://doi.org/10.47813/2782-2818-2022-2-1-62-68

Выпуск

Раздел

Физика, математика и механика